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EUV

远紫外线光刻技术(extreme ultraviolet )。

市场的殷切需求和技术节点的不断进步仿佛是悬在光刻技术头顶的“利剑”,虽然不至于“随时冷汗涔涔”,但是在某种程度上督促着光刻要永远走在前面。商品化光刻机分辨率从1.0μm到0.1μm的演变过程和光源波长从436nm(G-line),经历356nm(I-line)和248nm(KrF),到如今193nm(ArF)的过程;NA从0.35经历了0.45、0.55、0.6到0.85;K1因子的变化由0.8~0.4。20世纪末开始,微处理器和DRAM特征尺寸的缩减呈现了加速和偏离摩尔定律的趋势,这更加速了光刻机的变革步伐。然而,短波光学系统设计加工及相关材料的开发、NA的继续增加和K1的不断减小正面临着一系列的挑战。例如:大NA光学系统将导致焦深的减少,造成工件台和环境的控制更加苛刻,要求物镜波面差更小;较低的K1导致掩膜误差因子的增大,造成复制图形精度和保真度的下降。
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