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ESD11N

安森美半导体推出的一款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ,DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件

ESD11N这0.6皮法(pF)器件,利用安森美半导体的专利集成ESD技术,提高钳位性能,同时维持低电容。低电容值确保这器件几乎不影响高速数据线路的信号完整性,使其非常适用于USB 2.0和高清多媒体接口(HDMI)等应用。此外,ESD11N在达3千兆赫(GHz)频率时维持低于0.5分贝(dB)的插入损耗,并在不同电压和频率范围内维持极佳的电容线性度,故适合保护高频天线线路,而影响极小
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