快闪存储器-EDA365

快闪存储器

　　快闪存储器
　　目录
　　1概述
　　2限制
　　1概述
　　快闪存储器（flash EPROM）是电子可擦除可编程只读存储器(electrically erasable programmable read-only memory, EEPROM)的一种形式。快闪存储器允许在操作中多次擦或写，并具有非易失性，即单指保存数据而言，它并不需要耗电。快闪存储器和传统的EEPROM不同在于它是以较大区块进行数据抹擦，而传统的EEPROM只能进行擦除和重写单个存储位置。这就使得快闪在写入大量数据时具有显著地优势。
　　闪存具有较快的读取速度，其读取时间小于100ns，这个速度可以和主存储器相比。但是由于它的写入操作比较复杂，花费时间较长。而[1] 与硬盘相比，闪存的动态抗震能力更强，因此它非常适合用于移动设备上，例如笔记本电脑、相机和手机等。闪存的一个典型应用USB盘已经成为计算机系统之间传输数据的流行手段。
　　2限制
　　限制之一：区块擦除
　　作为新型的EEPROM，闪存擦除已保存的数据不是以单个存储位置为单位，而必须是以一个区块为单位进行。也就是说，闪存支持随机读取和写入，但是不允许随机改写。一般来说都是设置某一区中的所有位为“1”，刚开始区块内的所有部份都可以写入，然而当有任何一个位被设为“0”时，就只能借由清除整个区块来回复“1”的状态。
　　限制之二：有限次的擦除
　　闪存的擦除次数有有限，从10 000次到1百万次不等。尽管可以通过耗损平衡以及坏区管理等技术延长其使用寿命，但是这个限制也决定了闪存不适用于大量数据读写循环的高可靠性数据存储应用。