非易失性内存
　　NVM: non-volatile memory
　　也称作：非易失性存储器。
　　PCM（PRAM）: Phase-change Random Access memory,相变存储器。
　　非易失性内存的一种，利用存储单元的可逆的相变来存储信息。可擦写的CD/DVD一直在用这种技术。目前主流技术是采用硫族元素（元素周期表上“氧”那一列）做的合金，一般采用的是锗、锑、碲合金（简称GST）。这种合金在常温下有两种状态，一种是不规则、无序的，具有较高的电阻（非晶态）；另一种是高度有序的，具有较低的电阻（晶态）。通过电脉冲局部集中加热的方式在这两种之间切换。和RAM一样，相变存储器是按位读写的。相比于Flash技术，相变存储器不需要单独的擦除步骤。读取延迟大约在50-100纳秒左右，写入延迟大约是几毫秒。PCM对运行环境的温度要求很敏感，一般工作在0-70摄氏度之间。
　　MRAM:magnetic random access memory，磁阻随机存取内存
　　STT-MRAM: spin-transfer-torque magnetic RAM。实验室阶段，尚无产品。
　　ReRAM(RRAM): Resistive random-access memory 可变电阻式存储器
　　ECC（error correcting circuits）：对于BCH编码，从k位的数据中纠正t个错误，至少需要t * ceil (log2k) + 1个校验位。ECC采用标准的Hamming码再多加一位parity bit，于是可以检测一位及两位错误，并纠正一位错误。现在主要是采用64+8,即72位一组，其中64位是数据，8位是校验。
　　ECC是为DRAM设计的，对于Flash、NVM等，应考虑其它的方案。至少在有一点上有根本的不同，DRAM的错误一般都是临时性的，而FLASH、PCM等都是永久的。
　　fusionIO octal：MLC Nand，如果是纯512B的单位，IOPS 大约1百万左右。以64 kB的单元读写，读的带宽是6GB/s，写入带宽4.4GB/s。访问延迟30微秒。容量5.12T。
　　PCM需要程序做一些改进：
　　1、写之前先读，只写被修改的位
　　2、每行前面加一个标志位。称为翻转位。假如为1，代表其它的位是0-1翻转过的。
　　不读写时可以不用通电保持数据，解决计算机存储和访问速度问题。