伪随机存取存储器-EDA365

伪随机存取存储器

伪随机存取存储器-应用
据东芝的发言人Kenichi Sugiyama介绍，该公司已成功地将叠层式多芯片包的规格从目前的12乘9毫米缩小至10乘7毫米。
据该公司的声明称，新的芯片包将把4块内存芯片叠放在一起。这些芯片分别是一块8兆字节的SRAM (静态随机存取存储器)、一块32兆字节的PSRAM (伪随机存取存储器)和两块64兆字节的NOR闪存。
随着功能和无线互联网服务的不断增加，移动电话变得越来越复杂，为了不使手机的体积变大，就需要配置更多的内存芯片。东芝举例说明，SRAM作为一个缓冲和工作存储器，NOR闪存支持应用，PSRAM用作高密度缓冲存储器，NAND闪存则用作文件存储器。为了节省空间，这些芯片被安置在一个叠层式多芯片包中。据东芝称，它的最新成果将使同样容量的芯片可被安装在一个更小巧的芯片包中。
据Sugiyama透露，东芝计划4月份以9000日元(相当于68美元)的价格在全球进行试销，从5月开始批量生产。
从6月起，东芝还将推出多种组合的12乘9毫米叠层式芯片包，包括16兆的SRAM、64兆的PSRAM、128兆的NOR和128兆的NAND闪存。