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ESD11N
浏览次数:190次 | 创建时间:2020/09/03 安森美半导体推出的一款采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件 ESD11N这0.6皮法(pF)器件，利用安森美半导体的专利集成ESD技术，提高钳位性能，同时维持低电容 -
ESD11B
浏览次数:194次 | 创建时间:2020/09/03 安森美半导体推出的采用最新的超小型0201双硅片无引脚(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封装的静电放电(ESD)保护器件ESD11B这15 pF器件，将安森美半导体的低钳位电压ESD保护技术扩展至新的0201 DSN-2封装，为需要以有 -
ULV
浏览次数:124次 | 创建时间:2020/09/03 ULV处理器，英文称为：Ultra Low Voltage，中文译为：超低电压版本，也就是说ULV处理器就是针对消费级PC市场的超低电压处理器。英特尔目前对对ULV处理器特点及市场定位进行了如下的描述：不足10瓦超低功耗、45纳米制 -
MAX17083
浏览次数:55次 | 创建时间:2020/09/03 The MAX17083 is a fixed-frequency, current-mode, step-down regulator optimized for low-voltage, low-power applications. This regulator features dual internal n-channel MOSFET power switches for high e -
电池的容量
浏览次数:175次 | 创建时间:2020/09/03 电池的额定容量 在设计规定的条件（如温度、放电率、终止电压等）下，电池应能放出的最低容量，单位为安培小时，以符号C表示。容量受放电率的影响较大，所以常在字母C的右下角以阿拉伯数字标明放电率，如C20=50， -
充电速率
浏览次数:105次 | 创建时间:2020/09/03 充放电速率 有时率和倍率两种表示法。时率是以充放电时间表示的充放电速率，数值上等于电池的额定容量(安·小时)除以规定的充放电电流（安）所得的小时数。倍率是充放电速率的另一种表示法，其数值为时率的倒数。 -
LT3581
浏览次数:130次 | 创建时间:2020/09/03 电流模式、固定频率升压型 DC/DC 转换器 LT3581，该器件具集成的故障保护功能，用于在输出短路、输入/输出过压和过热情况下提供保护。LT3581 采用两个集成的 42V 开关 (一个 1.9A 的主开关和一个 1.4A 的从属开关)， -
电池内阻
浏览次数:105次 | 创建时间:2020/09/03 内阻 电池的内阻是指电流通过电池内部时受到的阻力。它包括欧姆内阻和极化内阻，极化内阻又包括电化学极化内阻和浓差极化内阻。由于内阻的存在，电池的工作电压总是小于电池的电动势或开路电压。电池的内阻不 -
TPS229xx
浏览次数:17次 | 创建时间:2020/09/03 全新集成负载开关产品系列，该系列具有控制启动与快速输出放电功能，从而可简化子系统负载管理。TPS229xx 系列产品不仅采用超小型 0.8 毫米 x 0.8 毫米晶圆级芯片封装技术 (WCSP) 封装，比传统的分立式解决方案小十 -
ATX电源和AT电源的区别
浏览次数:73次 | 创建时间:2020/09/03 ATX电源广泛应用于电脑中，与AT电源相比，它更符合"绿色电脑"的节能标准,它对应的主板是ATX主板。 1.ATX电源的特点 与AT电源相比，ATX电源增加了“＋3.3V、＋5VSB、PS－ON”三个输出。其中“＋3.3V”输出主要是供CPU用，
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