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冯诺依曼体系
浏览次数:135次 | 创建时间:2020/09/03 1946年6月美籍匈牙利科学家冯诺依曼教授发表了“电子计算机装置逻辑结构初探”的论文。并设计出了第一台“存储程序”计算机EDVAC（埃德瓦克），即离散变量自动电子计算机（The Electronic Discrete Variable Automatic C -
FWA-6500
浏览次数:180次 | 创建时间:2020/09/03 研华近日推出了FWA-6500双处理器设备，该设备基于现今流行的Intel Xeon处理器5600系列。 FWA-6500具有双处理器的性能，可进行多个GbE和10GbE连接的高速模块化I/O处理。系统专为高端网络安全和数据包处理应用而设 -
复杂可编程逻辑器件
浏览次数:153次 | 创建时间:2020/09/03 复杂可编程逻辑器件 CPLD采用CMOS EPROM、EEPROM、快闪存储器和SRAM等编程技术，从而构成了高密度、高速度和低功耗的可编程逻辑器件。 1组成 CPLD主要由逻辑块、可编程互连通道和I/O块三部分构成。 2规 -
非易失性内存
浏览次数:170次 | 创建时间:2020/09/03 非易失性内存 NVM: non-volatile memory 也称作：非易失性存储器。 PCM（PRAM）: Phase-change Random Access memory,相变存储器。 非易失性内存的一种，利用存储单元的可逆的相变来存储信息。可擦写的C -
Flash内存
浏览次数:103次 | 创建时间:2020/09/03 Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般 -
FRAM
浏览次数:165次 | 创建时间:2020/09/03 铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbi -
非晶态半导体存储器
浏览次数:69次 | 创建时间:2020/09/03 非晶态半导体存储器 利用外界条件，如电、热、压力、光等，使非晶态薄膜的结构发生变化，用以记录和存储信息的器件。这种存储器大都用硫系玻璃半导体制成，因而也称为玻璃半导体存储器。 目录 1简介 2非 -
非接触卡
浏览次数:173次 | 创建时间:2020/09/03 非接触卡 非接触式卡诞生于90年代初，是世界上最近几年发展起来的一项新技术，它成功地将射频识别技术和IC卡技术结合起来，解决了无源（卡中无电源）和免接触这一难题，是电子器件领域的一大突破。由于存在着磁卡 -
FM22L16
浏览次数:165次 | 创建时间:2020/09/03 FM22L16 概述 FM22L16是256Kx16的非易失性存储器，可像标准SRAM一样快速读写。铁电存储器（F-RAM）具有非易失性，这意味着FM22L16中的数据在掉电后仍将被保存，保存时间长达10年以上。相对于依靠后备电池的SRAM（ -
FSSD07
浏览次数:123次 | 创建时间:2020/09/03 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为手机、数码相机和便携应用设计人员提供一款存储器开关产品FSSD07，扩展了普通处理器至安全数字(SD)、安全数字I/O(SDIO)和多媒体卡(MMC)等外设的通信功能。 FSSD07可让两个
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